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隨著AI伺服器產能吞噬全球半導體產量，傳統記憶體市場正迎來一波爆發性的利潤增長。 外資瑞銀（UBS）最新研究報告指出，由於供給嚴重短缺，美光（Micron）標準DRAM的毛利率已正式超越專為AI設計的特殊HBM記憶體。
根據瑞銀的研究，美光標準DRAM的毛利率成長軌跡極為驚人。在2025年期間約 44%至50%，2026年2月飆升至 80%，2026年的5月到8月則是攀升至 89% 與 91%，2026年底更預期達到 92%。之後，2027預計達到 93%至95%的最高點，並在2028年多數時間維持於 93% 以上。
相較之下，高頻寬記憶體（HBM）雖然被視為頂級溢價產品，但毛利率成長較溫和。2025年約為56%至63%，2026年落在63%至70%，2027年則預計達到75%至78%。
報告指出(標準記憶體毛利率反超HBM主要有兩大原因。首先，製造難度差異，HBM需要更多的晶圓堆疊與極其複雜的封裝步驟，這嚴重消耗了生產線產能，進而壓縮了標準記憶體的產量，造成供應受限。
其次是雙重需求爆發，也就是AI伺服器不僅需要GPU專用的HBM，還需要大量標準型DDR5來支援系統CPU運作，這導致AI硬體與傳統伺服器激烈爭奪有限的晶圓資源。基於以上的因素，在三大記憶體巨頭優先將先進產線撥給AI硬體的情況下，標準記憶體供給緊縮，進而將高昂的採購成本轉嫁給一般企業買家。
儘管標準記憶體利潤領先，美光仍積極布局HBM。其HBM單季出貨量預計將從2025年初的0.1 exabytes (EB)，成長至2026年底的0.29 EB，2027年底更將達到0.43 EB。在全球總量預估為2.1 EB的HBM市場中，美光預計其市佔率將在2026年底達到22%至23%，2027年可能短暫下滑至18%，但年底預期回升至21%。與此同時，美光在標準記憶體市場的市佔率則預估將穩定維持在23%至24%。
(首圖來源：美光)
