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晶片愈疊愈熱怎麼辦?德國創浦出手:預告2028年將微冷卻結構直接打入3D晶片


2026-09-06


晶片愈疊愈熱怎麼辦?德國創浦出手:預告 2028 年將微冷卻結構直接打入 3D 晶片

台積電要生產最先進晶片,少不了 ASML(艾司摩爾)的 EUV(極紫外光)曝光機;而在 ASML 的 EUV 設備裡,還有家一般人相對陌生、卻占據關鍵位置的德國雷射大廠:創浦(TRUMPF)。

《財訊》報導,創浦是全球工業雷射技術領導廠商,也是ASML EUV高功率雷射系統的重要合作夥伴。AI晶片從追求電晶體微縮走向3D堆疊與異質整合,這家長年站在先進製程供應鏈背後的公司,也開始把技術觸角往先進封裝與晶片散熱延伸。創浦將自己定位為工業雷射技術全球市場領導者,2025年度總營收達43.29億歐元(約新台幣1,590億元)。

創浦全球首席技術長Berthold Schmidt來台參加SEMICON Taiwan 2026,1日表示:「多年來半導體產業焦點一直放在電晶體微縮,但微縮仍然重要,卻已經不再是唯一的挑戰。」現在產業還得解決如何傳輸更多資料、提供更多電力,以及如何把愈來愈多的熱帶走;先進封裝、異質整合、新型基板材料與冷卻技術,都將影響下代半導體的效能。

AI需求也推升創浦的半導體業務。Schmidt透露,半導體業務維持強勁成長,為因應市場需求,兩年內EUV雷射系統產能將提高三倍。他強調台灣是全球半導體產業的核心,創浦未來幾年還將擴大台灣團隊,強化半導體關鍵零組件的本土維修與服務。

《財訊》指出,不過當晶片從平面走向3D,新問題也跟著出現。創浦雷射技術部門全球半導體與微電子業務發展經理Cathrin Conrad指出,先進封裝讓晶片靠得更近,甚至直接垂直堆疊,「熱不再只是封裝外部產生,而是愈來愈靠近、甚至直接在晶片內堆疊產生。」現有伺服器、資料中心及封裝層級的冷卻技術仍重要,但已不足以單獨滿足未來需求。

創浦因此利用超短脈衝雷射,用碳化矽、鑽石等材料加工微米級冷卻結構,讓散熱位置更貼近晶片熱源。Conrad透露,「我們預估2028年可看到冷卻結構導入3D晶片堆疊。」創浦已與不同整合商合作,再由這些業者供應AI晶片製造商。Schmidt也補充,相關合作較靠近封裝端,且公司展示技術多半已有合作夥伴及客戶參與,並非停在實驗室階段。

晶片愈疊愈高,也讓垂直互連的製造難度跟著提高。創浦新興技術需求負責人Piotr Lach說,「更多AI就代表更高算力、更高記憶體頻寬,以及更深度的垂直整合。」不論TSV(矽通孔)或TGV(玻璃通孔),鑽孔只是第一步,真正困難的是如何在又深又窄的微孔內形成均勻的金屬鍍層,這也讓電漿技術的重要性提高。

《財訊》披露,創浦台灣資深業務經理劉奕昀則指出,「未來AI晶片的競爭不只是晶片設計,先進製造能力也會成為非常重要的關鍵。」創浦以雷射、電漿與EUV三大核心技術切入半導體價值鏈,應用範圍也從晶圓製造一路延伸至TSV、TGV與先進封裝。

談到台積電持續加碼先進封裝,Schmidt雖未透露特定合作進度,但直言,「台積電正朝正確的方向前進。」他認為,台積電、英特爾、三星等原本以前段製程見長的半導體大廠,再往後段高度整合封裝擴張,是正確的戰略方向。

從EUV光源一路延伸到先進封裝與晶片內散熱,Schmidt看到的變化很直接:AI晶片要繼續提高算力,已不能只靠把電晶體做得更小。「當晶片愈疊愈高,如何連得更密、又能把熱帶走,也開始決定下一代AI晶片能走多遠。」

(本文由 財訊 授權轉載;首圖來源:創浦)



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