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韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）發表官方聲明，強烈否認有關其以在美國興建晶圓廠為條件、要求美方放寬中國大連廠設備出口限制的報導。SK 海力士澄清，公司並未尋求擴充中國大連廠的產能，目前在該廠安裝設備皆是在與美國政府密切溝通並獲得授權下進行。
先前有外媒及路透社報導指出，SK 海力士旗下子公司 Solidigm 正評估在美國興建 3D NAND 快閃記憶體晶圓廠。報導聲稱，SK海力士試圖向美國政府爭取放寬半導體製造設備出口至中國大連廠的許可，作為承諾在美國建廠的交換條件。
由於美國政府對半導體設備赴中採取嚴格出口管制，大連廠營運高度仰賴應用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）及柯林研發（Lam Research）等美國主要供應商，相關設備出口均需獲得美國政府許可授權。報導還補充，美國商務部雖於 2025 年 12 月給予 SK海力士 2026 年大連廠設備運送的有限授權，但尚未批准 2027 年的出口許可。
針對上述傳聞，SK 海力士發布正式聲明予以澄清。SK 海力士表示，公司嚴格遵循所有相關司法管轄區的法律法規，並持續全力致力於穩定全球半導體供應鏈。聲明還明確強調，對於 2023 年竣工的大連 Mod B 廠房「並未尋求任何產能擴充」。SK 海力士補充，目前在大連 Mod B 廠進行的設備安裝作業，完全是在與美國政府密切諮商並取得授權許可的前提下順利執行。
SK 海力士旗下大連廠是全球唯一生產 192 層堆疊浮動閘極（floating gate）3D NAND 快閃記憶體的製造據點，產品專門用於 Solidigm 的數據中心級 SSD，供應 AI、企業與超大規模數據中心使用。
大連 Mod B 廠房於 2023 年完工時，因當時記憶體市場遭遇低迷而未完全裝設設備，因此內部仍保有空間可供後續填置機台。業界分析認為，在現有竣工廠房內安裝設備屬於填補既有空間而非擴建全新產能。此外，Solidigm 除了持續研發下一代浮動閘極 NAND 技術外，亦正考慮最早於 2027 年進行首次公開募股（IPO）以籌集資本。
(首圖來源：Solidigm)
