☰
在美國與荷蘭深化半導體出口管制的背景下，中國半導體設備國產化迎來重大技術突破。中國新創企業朗道矽斯（Langdao Silex）日前成功展示首款自主研發的極紫外光（EUV）微影雷射光源系統，為中國打造完全自主可控的半導體供應鏈奠定關鍵基礎。
根據朗道矽斯公布的技術規格，該款名為FlintNano LPP-OXXO 的國產 EUV 光源系統，其組件約有 90% 來自中國本土供應或自主研發。技術路線方面，該系統採用與國際龍頭 ASML 類似的雷射激發電漿（LPP）技術，利用高功率雷射產生電漿以釋放先進晶片製造所需的極紫外光。
在具體技術參數上，FlintNano 系統配備 1,000 瓦（W）的驅動雷射，運行重複頻率介於1 至 20 kHz 之間，光效轉換效率 超過 2%。官方數據顯示，該設備具備連續運行 超過 100 小時的穩定性，原型機現已適用於晶圓曝光測試，但後續仍需進行進一步的精細微調。
長期以來，美國政府持續對荷蘭施壓，禁止全球微影曝光龍頭 ASML 向中國出口先進的 EUV 設備。荷蘭政府於 2019 年正式阻擋出口許可後，中國至今從未部署過任何一台 ASML 的 EUV 掃描儀，僅能繼續引進 DUV（深紫外光）系統。
然而，半導體專家指出，開發出合格的光源僅是打造完整 EUV 微影機的其中一步。一部成熟的 EUV 微影設備還需要極高精密的反射光學鏡頭、複雜的晶圓超精密定位機制，以及數千個跨子系統的高精度整合。
目前中國本土企業已實現浸潤式 DUV 設備的量產。例如，上海宇量昇科技（Shanghai Yuliangsheng Technology）正致力於開發氟化氬（ArF）準分子雷射技術，以產生 193 奈米（nm）波長的光源。
因此，儘管朗道矽斯成功實現 EUV 光源原型機運轉，但並不代表中國已具備能與 ASML 量產級微影機直接競爭的能力。朗道矽斯官方預估，該項 EUV 光源技術若要達到商業化量產標準，預計仍需 3 至 5 年的研發與改進時間。
(首圖來源：官網)
