最新消息

賣方主導市場，三星HBM4價格2027年將翻倍成長

2026-10-08

根據韓國媒體報導指出，韓國三星在與主要客戶進行的 2027 年高頻寬記憶體（HBM）供給談判中，提出了大幅調漲價格的方案。因為隨著標準型 DRAM 價格急升，以及市場供不應求的狀況持續，由賣方主導的談判預計將延續至 2027 年。

朝鮮日報指出，隨著HBM主力產品從第五代（HBM3E）轉向第六代（HBM4），三星電子正規劃將2027年的供給價格調升至現行價格的2倍以上。目前三星電子已確保輝達（NVIDIA）與博通（Broadcom）等主要客戶2027年的相當數量訂單，價格談判已於本月進入最終階段。

事實上，包括市場分析師也給出相同的預測。其中，KB證券預測三星電子2027年的HBM售價將上漲100%以上，調研機構TrendForce則估計2027年HBM平均價格漲幅將達121%]。而三星電子已於2026年2月啟動HBM4量產，2027年出貨量預計將大幅增加。

報導強調，本次三星HBM的價格調漲主要受三大因素所驅動：

1. 通用DRAM價格強勢：TrendForce預測2026年第四季標準型DRAM合約價將季增10%至15%，含HBM在內的DRAM合約價則季增15%至20%。外資高盛（Goldman Sachs）分析指出，生產標準型DRAM的營收提高，帶動HBM價格必須同步調漲。
2. 晶圓消耗與先進製程成本：HBM晶粒較大且世代升級增加晶圓消耗，且三星的HBM4基礎晶片（Base Die）採用4奈米邏輯製程，成本負擔顯著增加。高盛指出，DRAM新增產能大多將被HBM吸收，使標準型DRAM供給受限並維持高價，形成支撐HBM漲價的循環。
3. 美光調漲帶動效應：美光（Micron）近期已將2027年的大部分HBM產能以高於2026年的價格簽約。美光確定大幅漲價後，進一步擴大了三星電子與SK海力士（SK Hynix）反映市場高價的空間。

在調漲價格之後，HBM對三星電子記憶體事業的營收貢獻預計將顯著提升]。根據韓亞證券（Hana Securities）的預估，隨著HBM4出貨擴大，2027年HBM占三星電子DRAM營收比重將升至15%左右。若漲價達100%，比重更可能擴大至20%至30%。

半導體業界人士表示，由於標準型DRAM與HBM市場供給均偏緊，三星電子在談判中極可能掌握主導權。不過，最終實際的利潤改善幅度，仍將取決於HBM4良率、客戶認證速度、以及晶圓分配策略，後續還值得持續觀察。

(首圖來源：三星)

• 文章出處:https://finance.technews.tw/2026/10/07/samsung-hbm4-supply-prices-are-expected-to-double-by-2027/