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根據韓國媒體報導，三星電子預計於2026年底前，開始在美國德州泰勒市（Taylor）建造第二座半導體晶圓廠。同時，面對日益成長的AI客戶需求，三星計畫將60%至70%的記憶體產能分配給長期供應合約（LTA）。
三星晶圓代工策略行銷團隊負責人、副總經理Kang Seok-chae表示，德州泰勒一廠（Taylor Fab 1）預計於2026年內正式投產。而就在一廠投產後，三星將逐步擴大2奈米製程產能，並預計於2027年達成全面量產的目標。至於，泰勒二廠的商業化量產目標則設定在2030年。此外，由於客戶對1.4奈米製程技術的詢問度提高，三星正積極評估追加製造空間的可能性。
另外，在製程資源配置上，三星正持續將產能從成熟製程轉移至高毛利的先進製程。目前，8奈米與17奈米製程、CMOS影像感測器（CIS）以及嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）需求持續強勁，且8奈米以下製程的產能利用率已接近滿載。Kang Seok-chae 指出，隨著產能利用率提高、良率改善及價格回升，晶圓代工業務的獲利能力將較2025年大幅改善，並有望在近期實現轉虧為盈。
至於，針對記憶體業務，隨著AI基礎建設投資加速，長期供應合約（LTA）的重要性顯著提升。三星記憶體策略行銷負責人Kim Jae-jun指出，三星已與全球五大資料中心客戶簽署LTA，並正與另外五家大型AI相關客戶進行最後談判。由於長約需求已超過三星目前的供應能力，三星決定將高達60%至70%的長期產能用於履行LTA承諾。
據了解，三星的LTA合約通常為期5年，並設有年度展延的滾動式更新機制。針對標準型記憶體產品，合約中包含最低價格條款，以降低市場低迷時的風險。此外，為加強合約約束力，合約規定了高額的前期預付款，目前三星已收到已簽署合約中約四分之一的預付款。
(首圖來源：官網)
