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韓國記憶體雙雄正顯著加強對中國境內NAND快閃記憶體（Nand Flash）生產基地的投資。其中，三星電子已具體落實2026~2027兩年在中國廠區的超先進NAND快閃記憶體轉型投資計劃。至於，SK海力士也預計自2026年下半年起至2027年，在中國廠區建立每月3萬片晶圓規模的先進產能。這些動作被半導體業界視為應對人工智慧（AI）伺服器等領域對最先進快閃記憶體需求急增的關鍵應對策略。
目前，三星電子自2026年上半年起，已著手在其位於中國西安的X2產線進行第9代V9 NAND快閃記憶體的轉型投資。三星的V9 NAND採用高達280層堆疊技術，屬於目前最先進的產品，預計此轉型投資將可為其西安廠確保每月4萬至5萬片晶圓的生產能力。
為了進一步鞏固並強化該晶圓廠的V9 NAND產出，三星近期已確定追加補強投資計劃，其核心在於導入NAND製造中最關鍵的「蝕刻」（Etching）製程設備。由於NAND快閃記憶體需要將儲存單元（Cell）向上堆疊數百層，為了讓電子得以移動，必須在晶圓上精準打出極深的通道孔（Channel Hole），這使得蝕刻技術的精確度與重要性大幅提升。
根據半導體業界人士透露，三星電子計畫於明年下半年起展開這項補強投資，以穩定實現V9 NAND的量產，相關設備採購訂單（PO）預計將於2027年年底前具體明朗。
另外，SK海力士也自2026年第三季起，對其中國大連二廠展開提升NAND快閃記憶體產品世代的設備投資。目前正進行討論的投資規模約為每月3萬片晶圓。現階段大連晶圓廠是SK海力士於2020年下半年收購英特爾（Intel）NAND快閃記憶體業務時所接收的資產。儘管SK海力士隨後於2022年舉行了大連二廠的動土儀式以籌備擴產，但先前因市場景氣下行等因素，一度擱置了後續的設備裝機投資。
如今，隨著市場回暖與AI需求拉動，另一位業界知情人士指出，SK海力士計畫在2027年上半年之前完成大連二廠每月3萬片規模的NAND設備裝機。包括蝕刻在內的核心製造設備，預期將從下個月起開始陸續進廠安裝，正式啟動該廠區的先進產能高產化進程。
(首圖來源：SK 海力士)
